MOSFET STMicroelectronics STW75N65DM6-4, VDSS 650 V, ID 37 A, TO-247-4 de 4 pines

Código RS:: 240-0612
Nº ref. fabric.:: STW75N65DM6-4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STW75N65DM6-4, VDSS 650 V, ID 37 A, TO-247-4 de 4 pines

82 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

12,86 €

(exc. IVA)

15,56 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	12,86 €
5 - 9	12,85 €
10 - 14	12,84 €
15 - 19	12,82 €
20 +	12,81 €

Código RS:: 240-0612
Nº ref. fabric.:: STW75N65DM6-4
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - STW75N65DM6-4

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Probado al 100 % contra avalancha
Robustez dv/dt extrema
Protegido con Zener

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247-4
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics STW75N65DM6-4, VDSS 650 V, ID 37 A, TO-247-4 de 4 pines

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