MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STWA32N65DM6AG, VDSS 30 V, ID 55 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 240-0614
- Nº ref. fabric.:
- STWA32N65DM6AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 40.92mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Anchura | 15.8 mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie STW | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 40.92mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Anchura 15.8 mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Certificación AEC-Q101
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Probado al 100 % contra avalancha
Robustez dv/dt extrema
Protegido con Zener
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