MOSFET STMicroelectronics STWA32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 37 A, TO-247-4 de 4 pines

Código RS:: 240-0614
Nº ref. fabric.:: STWA32N65DM6AG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STWA32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 37 A, TO-247-4 de 4 pines

96 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

9,72 €

(exc. IVA)

11,76 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	9,72 €
5 - 9	9,69 €
10 - 14	9,66 €
15 - 19	9,63 €
20 +	9,60 €

Código RS:: 240-0614
Nº ref. fabric.:: STWA32N65DM6AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - STWA32N65DM6AG

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics es parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Certificación AEC-Q101
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) más bajo por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Probado al 100 % contra avalancha
Robustez dv/dt extrema
Protegido con Zener

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-247-4
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics STWA32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 37 A, TO-247-4 de 4 pines

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