MOSFET, N-Canal Vishay IRFP460LCPBF, VDSS 500 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 281-6032
- Número de artículo Distrelec:
- 171-16-940
- Nº ref. fabric.:
- IRFP460LCPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.27Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 280W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 14.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.29mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.27Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 280W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 14.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.29mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET de potencia de Vishay ofrecen cargas de puerta significativamente más bajas que los MOSFET convencionales. Estas mejoras reducen los requisitos de accionamiento de puerta, aceleran la conmutación y aumentan los ahorros del sistema, estableciendo un nuevo estándar en transistores de potencia para aplicaciones de conmutación.
Carga de puerta ultrabaja
Requisito de accionamiento de puerta reducido
Orificio de montaje central aislado
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