MOSFET de canal N,2N7000 0.2A 60V

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Código RS:
348-3824
Nº ref. fabric.:
2N7000
Fabricante:
ON Semiconductor
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Marca

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-92

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-40 V, +40 V

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Longitud

5.2mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Altura

5.33mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Estado RoHS: No cumple

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semiconductor