MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
486-0171
Nº ref. fabric.:
IRF630
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

STripFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Altura

9.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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