MOSFET Infineon IRL530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 541-1203
- Nº ref. fabric.:
- IRL530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/07/2024, con entrega en 3 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
1,42 €
(exc. IVA)
1,72 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 9 | 1,42 € |
10 - 24 | 1,35 € |
25 - 49 | 1,25 € |
50 - 99 | 1,19 € |
100 + | 1,13 € |
- Código RS:
- 541-1203
- Nº ref. fabric.:
- IRL530NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | LogicFET |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 100 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 79 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 34 nC a 5 V |
Longitud | 10.54mm |
Material del transistor | Si |
Ancho | 4.69mm |
Altura | 8.77mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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