MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFBF30PBF, VDSS 900 V, ID 3.6 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
542-9557
Nº ref. fabric.:
IRFBF30PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Serie

IRFBE

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.01mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC

Longitud

10.41mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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