MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
543-0018
Nº ref. fabric.:
IRF9510PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

IRF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-5.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.41mm

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de tercera generación Vishay proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

Valor nominal de dv/dt dinámico

Índice de avalancha repetitiva

Requisitos de accionamiento sencillos

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