MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 6.7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 542-9478
- Nº ref. fabric.:
- IRF9Z14PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
1,74 €
(exc. IVA)
2,11 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 83 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 790 unidad(es) más para enviar a partir del 09 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,74 € |
| 10 - 49 | 1,57 € |
| 50 - 99 | 1,38 € |
| 100 - 249 | 1,30 € |
| 250 + | 1,21 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 542-9478
- Nº ref. fabric.:
- IRF9Z14PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IRF9Z14 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 500mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -5.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.01mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IRF9Z14 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -5.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.01mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines