MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP90N20DPBF, VDSS 200 V, ID 94 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
639-1857
Nº ref. fabric.:
IRFP90N20DPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

94A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

580W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

20.3mm

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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