MOSFET, N-Canal onsemi FDS3672, VDSS 100 V, ID 7.5 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 671-0491
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-726
- Nº ref. fabric.:
- FDS3672
- Fabricante:
- onsemi
Consigue un descuento por cantidad
Añade 50 más para ahorrar un 13%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
10,15 €
(exc. IVA)
12,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 2225 Envío desde el 17 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* | Ahorro |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,03 € | 10,15 € | - |
| 50 - 95 | 1,75 € | 8,75 € | 13% |
| 100 - 495 | 1,516 € | 7,58 € | 25% |
| 500 - 995 | 1,334 € | 6,67 € | 34% |
| 1000 + | 1,212 € | 6,06 € | 40% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 671-0491
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-726
- Nº ref. fabric.:
- FDS3672
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | UltraFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie UltraFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 250 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOIC de 8 pines