MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS5672, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

10,26 €

(exc. IVA)

12,415 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 375 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 1425 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,052 €10,26 €
50 - 951,768 €8,84 €
100 - 4951,534 €7,67 €
500 - 9951,348 €6,74 €
1000 +1,226 €6,13 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
671-0542
Nº ref. fabric.:
FDS5672
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Enlaces relacionados