MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 671-0968
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-729
- Nº ref. fabric.:
- FQD17P06TM
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,342 € | 6,71 € |
| 50 - 95 | 1,156 € | 5,78 € |
| 100 - 495 | 1,004 € | 5,02 € |
| 500 - 995 | 0,884 € | 4,42 € |
| 1000 + | 0,804 € | 4,02 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 671-0968
- Número de artículo Distrelec:
- 304-43-729
- Nº ref. fabric.:
- FQD17P06TM
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 135mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie QFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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