MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 671-0968
Número de artículo Distrelec:: 304-43-729
Nº ref. fabric.:: FQD17P06TM
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FQD17P06TM, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	1,22 €	6,10 €
50 - 95	1,052 €	5,26 €
100 - 495	0,912 €	4,56 €
500 - 995	0,802 €	4,01 €
1000 +	0,73 €	3,65 €

*precio indicativo

Código RS:: 671-0968
Número de artículo Distrelec:: 304-43-729
Nº ref. fabric.:: FQD17P06TM
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	QFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	135mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	21nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Tensión directa Vf	-4V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	6.22 mm
	Altura	2.39mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TO-252
	Serie QFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Tensión directa Vf -4V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 6.22 mm
	Altura 2.39mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión

• Diseño de celdas de alta densidad

• corriente de saturación alta

• conmutación superior

• Gran rendimiento robusto y fiable

• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga

• Convertidor CC/CC

• Protección de la batería

• Control de administración de energía

• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.