MOSFET ON Semiconductor NTD2955T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,898 €

(exc. IVA)

1,087 €

(inc.IVA)

Documentación Técnica

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	55 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	6.22mm
Material del transistor	Si
Altura	2.38mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C