MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
124-5400
Nº ref. fabric.:
NTD2955T4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

NTD2955

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

55W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Altura

2.38mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CZ

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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