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    MOSFET onsemi FQA19N60, VDSS 600 V, ID 18,5 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

    Producto Descatalogado
    Código RS:
    671-4913
    Nº ref. fabric.:
    FQA19N60
    Fabricante:
    onsemi

    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje18,5 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente600 V
    Tipo de EncapsuladoTO-3PN
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente380 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta mínima3V
    Disipación de Potencia Máxima300 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-30 V, +30 V
    Material del transistorSi
    Ancho5mm
    Longitud15.8mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+150 °C
    Número de Elementos por Chip1
    Carga Típica de Puerta @ Vgs70 nC a 10 V
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C
    Altura18.9mm
    SerieQFET

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