MOSFET Infineon IRFP4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 688-6995
Nº ref. fabric.:: IRFP4110PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFP4110PBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

4,385 €

(exc. IVA)

5,306 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	4,385 €	8,77 €
20 - 48	3,855 €	7,71 €
50 - 98	3,595 €	7,19 €
100 - 198	3,375 €	6,75 €
200 +	3,115 €	6,23 €

*precio indicativo

Código RS:: 688-6995
Nº ref. fabric.:: IRFP4110PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	370000 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	15.87mm
Ancho	5.31mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	150 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	20.7mm