MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon IRFP4568PBF, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
688-7018
Número de artículo Distrelec:
302-84-053
Nº ref. fabric.:
IRFP4568PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

171A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

684W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

151nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

20.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31 mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

Distrelec Product Id

30284053

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 171 A, disipación de potencia máxima de 517 W - IRFP4568PBF


Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer una alta eficiencia y un rendimiento constante en diversos circuitos electrónicos. Sus sólidas prestaciones están pensadas para aplicaciones de gestión de energía y conmutación. El encapsulado TO-247AC facilita una gestión térmica eficaz y simplifica la instalación en configuraciones con orificios pasantes.

Características y ventajas


• Las características mejoradas de recuperación de los diodos del cuerpo aumentan la fiabilidad

• La baja resistencia a la conexión minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento

• La capacidad máxima de disipación de potencia de 517 W se adapta a aplicaciones de alta demanda.

• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, garantiza la funcionalidad en diversos entornos.

• Las excelentes tensiones umbral de puerta optimizan el rendimiento durante las acciones de conmutación.

• La configuración de un solo transistor agiliza el diseño de circuitos para facilitar su uso

Aplicaciones


• Rectificación síncrona de alta eficiencia

• Sistemas de alimentación ininterrumpida para una copia de seguridad fiable

• Circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad

• Adecuado para conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima que puede soportar este dispositivo?


El dispositivo admite una corriente de drenaje continua máxima de 171 A en condiciones óptimas.

¿Cómo gestiona el aparato el calor durante el funcionamiento?


Con una disipación de potencia máxima de 517 W, el dispositivo gestiona eficazmente el calor generado durante el funcionamiento.

¿Cuáles son los requisitos típicos de la tasa de entrada?


La carga de puerta típica es de aproximadamente 151 nC a una tensión de puerta-fuente de 10 V, lo que garantiza un rendimiento de conmutación eficiente.

¿Puede soportar variaciones extremas de temperatura?


Sí, funciona en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que lo hace apto para diversas condiciones ambientales.

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon


MOSFET para control del motor


Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono


Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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