MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*

211,15 €

(exc. IVA)

255,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1075 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
25 - 258,446 €211,15 €
50 - 1008,024 €200,60 €
125 +7,686 €192,15 €

*precio indicativo

Código RS:
222-4611
Nº ref. fabric.:
AUIRFP4568
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

171A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-247

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

151nC

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

517W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.31mm

Longitud

15.87mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

20.7 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología planar avanzada

MOSFET de canal N doble, baja resistencia de conexión

Controlador de puerta de nivel lógico

Enlaces relacionados