MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4611
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFP4568
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4611
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFP4568
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 171A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 517W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 151nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 20.7mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.31mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 171A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 517W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 151nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 20.7mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.31mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología planar avanzada
MOSFET de canal N doble, baja resistencia de conexión
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