MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFP4568, VDSS 150 V, ID 171 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
222-4612
Nº ref. fabric.:
AUIRFP4568
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

171A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

517W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

151nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

20.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.31mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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