MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLB8314PBF, VDSS 30 V, ID 171 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
130-1015
Nº ref. fabric.:
IRLB8314PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

171A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

16.51mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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