Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXMN7A11GTA, VDSS 70 V, ID 3.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 708-2501
Nº ref. fabric.:: ZXMN7A11GTA
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXMN7A11GTA, VDSS 70 V, ID 3.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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25 - 45	0,73 €	3,65 €
50 - 245	0,626 €	3,13 €
250 - 495	0,482 €	2,41 €
500 +	0,48 €	2,40 €

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Código RS:: 708-2501
Nº ref. fabric.:: ZXMN7A11GTA
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	70V
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	190mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.85V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.9W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	7.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.7mm
	Altura	1.8mm
	Anchura	3.7 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 70V
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.85V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.9W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.7mm
	Altura 1.8mm
	Anchura 3.7 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXMN7A11GTA, VDSS 70 V, ID 3.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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