Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal DiodesZetex ZXMN6A09GTA, VDSS 60 V, ID 7.5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 708-2589
Nº ref. fabric.:: ZXMN6A09GTA
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET, N-Canal DiodesZetex ZXMN6A09GTA, VDSS 60 V, ID 7.5 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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15 - 45	1,442 €	7,21 €
50 - 245	1,268 €	6,34 €
250 - 495	1,094 €	5,47 €
500 +	0,912 €	4,56 €

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Código RS:: 708-2589
Nº ref. fabric.:: ZXMN6A09GTA
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	7.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	ZXMN6A09G
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	60mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	3.9W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	24.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	0.95V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.7mm
	Anchura	3.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.8mm
	Estándar de automoción	AEC-Q100

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 7.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie ZXMN6A09G
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 3.9W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 0.95V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.7mm
	Anchura 3.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.8mm
	Estándar de automoción AEC-Q100

MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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