MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRF840ASPBF, VDSS 500 V, ID 8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 708-5146
- Nº ref. fabric.:
- IRF840ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
8,28 €
(exc. IVA)
10,02 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Disponible(s) 15 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
- Última(s) 985 unidad(es) para enviar desde el 02 de febrero de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,656 € | 8,28 € |
| 50 - 120 | 1,258 € | 6,29 € |
| 125 - 245 | 1,16 € | 5,80 € |
| 250 - 495 | 0,992 € | 4,96 € |
| 500 + | 0,862 € | 4,31 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 708-5146
- Nº ref. fabric.:
- IRF840ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | IRF840AS | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie IRF840AS | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-263 de 3 pines