MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP, VDSS 600 V, ID 400 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines

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Código RS:
714-6796
Nº ref. fabric.:
STQ1HNK60R-AP
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

400mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.94mm

Longitud

4.95mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.95mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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