MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia BSH203,215, VDSS 30 V, ID 470 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
725-8366
Nº ref. fabric.:
BSH203,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

470mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

BSH203

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

417mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Altura

1mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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