MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 850 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

318,00 €

(exc. IVA)

384,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 15 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,106 €318,00 €

*precio indicativo

Código RS:
103-7554
Nº ref. fabric.:
BSH103,215
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

850mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

BSH103

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4 mm

Altura

1mm

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


Enlaces relacionados