MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
124-2288
Nº ref. fabric.:
BSH201,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSH201

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3nC

Tensión directa Vf

-1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

417mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Altura

1mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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