MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML2060TRPBF, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 725-9357
- Número de artículo Distrelec:
- 304-45-313
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2060TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
4,28 €
(exc. IVA)
5,18 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 680 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 26.520 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,214 € | 4,28 € |
| 200 - 480 | 0,147 € | 2,94 € |
| 500 - 980 | 0,139 € | 2,78 € |
| 1000 - 1980 | 0,128 € | 2,56 € |
| 2000 + | 0,12 € | 2,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 725-9357
- Número de artículo Distrelec:
- 304-45-313
- Nº ref. fabric.:
- IRLML2060TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 480mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.67nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 480mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.67nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines