MOSFET Infineon IRLML2060TRPBF, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 913-4058
Nº ref. fabric.:: IRLML2060TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLML2060TRPBF, VDSS 60 V, ID 1,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,092 €

(exc. IVA)

0,111 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 3000	0,092 €	276,00 €
6000 - 6000	0,087 €	261,00 €
9000 +	0,082 €	246,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 913-4058
Nº ref. fabric.:: IRLML2060TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: PH

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	480 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,67 nC a 4,5 V
Longitud	3.04mm
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C