MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLML9301TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

4,40 €

(exc. IVA)

5,40 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 440 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 54.200 unidad(es) más para enviar a partir del 16 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 - 1800,22 €4,40 €
200 - 4800,15 €3,00 €
500 - 9800,141 €2,82 €
1000 - 19800,13 €2,60 €
2000 +0,121 €2,42 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
725-9366
Nº ref. fabric.:
IRLML9301TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

64mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

Distrelec Product Id

304-45-320

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A - IRLML9301TRPBF


Este semiconductor MOSFET está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Presenta un diseño de montaje en superficie (SOT-23) para facilitar su integración en circuitos electrónicos compactos. El componente funciona eficazmente con una corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A y puede manejar una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V.

Características y ventajas


• La configuración del modo de mejora permite un funcionamiento eficaz

• El alto umbral de tensión de puerta aumenta la fiabilidad

• Mayor resistencia térmica

• Optimizado para valores nominales de corriente de drenaje de tracción, lo que aumenta la fiabilidad del rendimiento

Aplicaciones


• Se utiliza para la gestión de la energía en aparatos portátiles

• Ideal para sistemas de control de automatización

• Utilizado en amplificadores de audio y procesadores de señal

• Adecuado para convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables

• Ideal para accionar motores en robots

¿Cuál es el impacto del bajo valor de la resistencia a la conexión en el rendimiento?


La baja resistencia a la conexión de 64mΩ permite reducir la generación de calor durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general y prolongando la vida útil de los componentes en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo beneficia el modo de mejora al diseño de circuitos?


El modo de mejora permite al MOSFET permanecer apagado hasta que se alcanza una tensión de puerta específica, lo que proporciona un control de conmutación fiable adecuado para diversos diseños electrónicos sin pérdidas de potencia innecesarias.

¿Puede este componente soportar altas temperaturas?


Sí, está diseñado para funcionar de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones expuestas a entornos difíciles o a un uso intensivo.

Enlaces relacionados