MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 913-4051
- Nº ref. fabric.:
- IRLML0040TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 913-4051
- Nº ref. fabric.:
- IRLML0040TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,6A, disipación de potencia máxima de 1,3W - IRLML0040TRPBF
Este MOSFET de potencia está diseñado para ofrecer eficiencia y fiabilidad en una amplia gama de circuitos electrónicos. Con baja resistencia a la conexión y alto rendimiento, es adecuado para aplicaciones que exigen eficiencia energética y un funcionamiento robusto. Este componente destaca por su capacidad para gestionar cargas eléctricas importantes, lo que lo hace relevante para ingenieros y profesionales de los sectores de la automatización y la electrónica.
Características y ventajas
• El bajo RDS(on) de 56mΩ reduce las pérdidas por conmutación
• Admite el modo de mejora para un control eficiente de la potencia
• Corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A para un funcionamiento estable
• Funciona a una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V
• Diseñado para la tecnología de montaje en superficie, perfecto para diseños compactos
• Compatible con la tecnología HEXFET para un alto rendimiento
Aplicaciones
• Ideal para conmutar cargas y sistemas
• Utilizados en sistemas de accionamiento de motores de corriente continua
• Eficaz para conmutación y amplificadores de alta velocidad
• Apto para montaje en superficie en circuitos compactos
• Empleado en varios circuitos electrónicos de potencia
¿Cuál es la resistencia térmica de este dispositivo?
La resistencia térmica suele ser de 100 °C/W, lo que garantiza una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.
¿Cómo afecta la tensión umbral de puerta al rendimiento del dispositivo?
La tensión umbral de puerta oscila entre 1,0 V y 2,5 V, lo que proporciona flexibilidad en el control de la puerta en diversas aplicaciones.
¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?
Sí, este componente puede soportar corrientes de drenaje pulsadas que superan su valor nominal continuo, lo que garantiza la fiabilidad en condiciones transitorias.
¿Qué factores influyen en la disipación máxima de potencia de este componente?
La disipación de potencia se ve afectada principalmente por la temperatura ambiente y la resistencia térmica, que influyen en la temperatura de la unión bajo carga.
MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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