Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 751-4200P
Nº ref. fabric.:: DMN6068LK3-13
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Ver precios por cantidad

Subtotal 125 unidades (suministrado en una tira continua)*

30,75 €

(exc. IVA)

37,25 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Disponible

Disponible(s) 2500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad
125 - 600	0,246 €
625 +	0,239 €

*precio indicativo

Código RS:: 751-4200P
Nº ref. fabric.:: DMN6068LK3-13
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	DMN6068LK3
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	100mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	8.49W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	10.3nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.15V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	6.22mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.39mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie DMN6068LK3
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 8.49W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.3nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.15V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 6.22mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.39mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.