MOSFET onsemi FDB035AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 759-8927
Nº ref. fabric.:: FDB035AN06A0
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB035AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad

5,07 €

(exc. IVA)

6,13 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	5,07 €
10 - 49	4,91 €
50 - 99	4,77 €
100 - 249	4,66 €
250 +	4,52 €

Código RS:: 759-8927
Nº ref. fabric.:: FDB035AN06A0
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	310 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	95 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	11.33mm
Material del transistor	Si
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm