MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal FDME1023PZT, VDSS 20 V, ID 2.6 A, MicroFET Delgado, Mejora de 6 pines, 2,

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Código RS:
759-9572
Nº ref. fabric.:
FDME1023PZT
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

MicroFET Delgado

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

142mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.4W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

1.6 mm

Longitud

1.6mm

Altura

0.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.

Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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