MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF2955T1G, VDSS 60 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
688-9130
Nº ref. fabric.:
NTF2955T1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NTF

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

185mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.5 mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.57mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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