MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP10NK70ZFP, VDSS 700 V, ID 8.6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 760-9960
- Nº ref. fabric.:
- STP10NK70ZFP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,284 € | 16,42 € |
| 10 - 95 | 2,784 € | 13,92 € |
| 100 - 495 | 2,238 € | 11,19 € |
| 500 - 995 | 1,98 € | 9,90 € |
| 1000 + | 1,67 € | 8,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 760-9960
- Nº ref. fabric.:
- STP10NK70ZFP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 850mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 850mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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