MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
760-9972
Nº ref. fabric.:
STP10NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

550mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

70W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Anchura

4.6 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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