MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STU7NM60N, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

11,40 €

(exc. IVA)

13,80 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 20 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 52,28 €11,40 €
10 - 951,92 €9,60 €
100 - 4951,508 €7,54 €
500 - 9951,264 €6,32 €
1000 +1,064 €5,32 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
761-0247
Nº ref. fabric.:
STU7NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh

Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.9Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

6.9mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Anchura

2.4 mm

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados