MOSFET onsemi FDC638P, VDSS 20 V, ID 4,5 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 761-4413
Nº ref. fabric.:: FDC638P
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDC638P, VDSS 20 V, ID 4,5 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Tiras de 10)

0,447 €

(exc. IVA)

0,541 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
10 - 90	0,447 €	4,47 €
100 - 990	0,262 €	2,62 €
1000 - 2990	0,189 €	1,89 €
3000 +	0,155 €	1,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 761-4413
Nº ref. fabric.:: FDC638P
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	72 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,6 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm