MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDC6561AN, VDSS 30 V, ID 2.5 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 761-9838
- Nº ref. fabric.:
- FDC6561AN
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 761-9838
- Nº ref. fabric.:
- FDC6561AN
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 152mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 960mW | |
| Tensión directa Vf | 0.78V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 152mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 960mW | ||
Tensión directa Vf 0.78V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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