Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1.37 A, Mejora, SC-70 de 3 pines

Código RS:: 780-4767
Nº ref. fabric.:: NTS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1.37 A, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:: 780-4767
Nº ref. fabric.:: NTS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.37A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SC-70
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	160mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd	329mW
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-8V, +8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	2.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.35mm
	Altura	900μm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.37A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SC-70
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd 329mW
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 2.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.35mm
	Altura 900μm
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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