MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1.37 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 780-4767
- Nº ref. fabric.:
- NTS4101PT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 780-4767
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- NTS4101PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 329mW | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 329mW | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
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