MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS4173PT1G, VDSS 30 V, ID 1.3 A, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:
780-4761
Nº ref. fabric.:
NTS4173PT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

350mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Tensión directa Vf

-1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.35 mm

Longitud

2.2mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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