Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTZS3151PT1G, VDSS 20 V, ID 950 mA, Mejora, SOT-563 de 6 pines

Código RS:: 780-4806
Nº ref. fabric.:: NTZS3151PT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTZS3151PT1G, VDSS 20 V, ID 950 mA, Mejora, SOT-563 de 6 pines

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Código RS:: 780-4806
Nº ref. fabric.:: NTZS3151PT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	950mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SOT-563
	Serie	NTZS3151P
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	240mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	210mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	5.6nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-8V, +8V
	Tensión directa Vf	-0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	600μm
	Longitud	1.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.3mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 950mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SOT-563
	Serie NTZS3151P
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 210mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.6nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V
	Tensión directa Vf -0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 600μm
	Longitud 1.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.3mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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