MOSFET DiodesZetex, Tipo P-Canal DMG1023UVQ-7, VDSS 20 V, ID 1.03 A, SOT-563, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 206-0066
- Nº ref. fabric.:
- DMG1023UVQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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*precio indicativo
- Código RS:
- 206-0066
- Nº ref. fabric.:
- DMG1023UVQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.03A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-563 | |
| Serie | DMG1023 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 622.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 530W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6V | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.6mm | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Longitud | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.03A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-563 | ||
Serie DMG1023 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 622.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 530W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6V | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.6mm | ||
Anchura 1.2mm | ||
Longitud 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET DiodesZetex 20V de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 6 V con disipación de potencia térmica de 0,53 W.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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