MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal DMC2710UV-7, VDSS 20 V, ID 800 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 206-0056
- Nº ref. fabric.:
- DMC2710UV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 206-0056
- Nº ref. fabric.:
- DMC2710UV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 800mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | DMC2710 | |
| Encapsulado | SOT-563 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | |
| Longitud | 1.55mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 800mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie DMC2710 | ||
Encapsulado SOT-563 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101 | ||
Longitud 1.55mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 6 V con disipación de potencia térmica de 0,46 W.
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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