MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 800 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
206-0057
Nº ref. fabric.:
DMC2710UV-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

800mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

DMC2710

Encapsulado

SOT-563

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.8W

Tensión directa Vf

0.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

1.55mm

Certificaciones y estándares

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, AEC-Q101

Altura

1.5mm

Anchura

1.1 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de par complementario está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 6 V con disipación de potencia térmica de 0,46 W.

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

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