MOSFET de potencia DiodesZetex, N-Canal, VDSS 30 V, ID 260 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
122-2883
Nº ref. fabric.:
DMN63D8LV-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

260mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-563

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

450mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.4nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.25mm

Certificaciones y estándares

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS

Longitud

1.7mm

Altura

0.6mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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