Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia DiodesZetex, N-Canal DMN63D8LV-7, VDSS 30 V, ID 260 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 822-2592
Nº ref. fabric.:: DMN63D8LV-7
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET de potencia DiodesZetex, N-Canal DMN63D8LV-7, VDSS 30 V, ID 260 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:: 822-2592
Nº ref. fabric.:: DMN63D8LV-7
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	DiodesZetex
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	260mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOT-563
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.8V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	450mW
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.6mm
	Certificaciones y estándares	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Longitud	1.7mm
	Anchura	1.25mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca DiodesZetex
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 260mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOT-563
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.8V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 450mW
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.6mm
	Certificaciones y estándares UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS
	Longitud 1.7mm
	Anchura 1.25mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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