MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3419EV-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 7.4 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
787-9452
Nº ref. fabric.:
SQ3419EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

78mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Anchura

1.7 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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